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【2h】

Electrically programmable-erasable In-Ga-Zn-O thin-film transistor memory with atomic-layer-deposited Al2O3/Pt nanocrystals/Al2O3 gate stack

机译：具有原子层沉积al2O3 / pt纳米晶/ al2O3栅堆叠的电可编程可擦除In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器

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Shi-Bing Qian; Wen-Peng Zhang; Wen-Jun Liu; Shi-Jin Ding;
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年度 2015
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